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Threshold Voltage Characteristics of Superconductor Gate nMOSFET at 4.2 K

I. Kurosawa, M. Maezawa, M. Aoyagi, H. Nakagawa, K. Yamamoto et S. Matsumoto

J. Phys. IV France, 06 C3 (1996) C3-73-C3-78

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1996311

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