CAPACITANCE TRANSIENT SPECTROSCOPY (DLTS) OF EXTENDED DEFECTS IN SEMICONDUCTORS U. GNAUERT, J. KRONEWITZ, M. SEIBT et W. SCHRÖTERJ. Phys. IV France, 01 C6 (1991) C6-335-C6-336DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1991649