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Nucleation and film growth during copper chemical vapor deposition using the precursor Cu(TMVS)(hfac)
Daewon Yang, Jongwon Hong, David F. Richards and Timothy S. Cale Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 20(2) 495 (2002) https://doi.org/10.1116/1.1450590
Nucleation of copper on TiN and SiO[sub 2] from the reaction of hexafluoroacetylacetonate copper(I) trimethylvinylsilane