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Article cité :

Characterization of Buffer Layers for SiC CVD

V. Cimalla, J. Pezoldt, G. Ecke, H. Rößler, G. Eichhorn

J. Phys. IV France, 05 C5 (1995) C5-863-C5-870

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:19955102

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Citations de cet article :

The surface morphological evolution of ultrathin SiC buffer layer grown on Si (100) substrate by atmospheric pressure chemical vapor deposition

Biao Shi, Ming-Xing Zhu, Xue-Chao Liu, Jian-Hua Yang and Er-Wei Shi
Journal of Materials Research 1 (2012)
https://doi.org/10.1557/jmr.2012.259

Tuning Residual Stress in 3C-SiC(100) on Si(100)

Jörg Pezoldt, Thomas Stauden, Florentina Niebelschütz, et al.
Materials Science Forum 645-648 159 (2010)
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.159