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Article cité :

Monitoring of SiC Deposition in an Industrial CVI/CVD Reactor by In-Situ FTIR Spectroscopy

H. Mosebach, V. Hopfe, M. Erhard, M. Meyer

J. Phys. IV France, 05 C5 (1995) C5-97-C5-104

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1995509

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Citations de cet article :

A review on properties required for FB-CVD fabricated SiC for TRISO fuel production

Linyi Hu, Joel Turner, James Buckley and Tim Abram
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Multi-Scale Analysis and Elementary Reaction Simulation of SiC-CVD Using CH3SiCl3/H2

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Multiplicity of steady states in the codeposition of silicon carbide and carbon

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https://doi.org/10.1002/aic.690481218