Strained Si1-xGex/Si Dots and Wires Grown by Selective Epitaxy
J. Phys. IV France, 05 C5 (1995) C5-55-C5-62
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Modeling of {311} facets using a lattice kinetic Monte Carlo three-dimensional model for selective epitaxial growth of silicon
Ignacio Martin-Bragado and Victor MorozApplied Physics Letters 98 (15) (2011)
https://doi.org/10.1063/1.3580771