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Article cité :

Precisely controlled anodic etching for processing of GaAs-based quantum nanostructures and devices

N. Shiozaki, T. Sato, M. Akazawa, H. Hasegawa

J. Phys. IV France, 132 (2006) 249-253

Publié en ligne : 2006-03-11

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:2006132047

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Citations de cet article :

Formation of Porous GaAs by Pulsed Current Electrochemical Anodization: SEM, XRD, Raman, and Photoluminescence Studies

N. K. Ali, M. R. Hashim, A. Abdul Aziz, H. Abu Hassan and J. Ismail
Electrochemical and Solid-State Letters 12 (3) K9 (2009)
https://doi.org/10.1149/1.3059005

Observation and control of electrochemical etching effects in the fabrication of InAs∕AlSb∕GaSb heterostructure devices

Ning Su, Yong Tang, Ze Zhang, T. F. Kuech and P. Fay
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 26 (3) 1025 (2008)
https://doi.org/10.1116/1.2924328