Raman characterization of the In0.14Ga0.86As0.13Sb0.87 highly doped with Te grown on GaSb by liquid phase epitaxy
J. Phys. IV France, 132 (2006) 211-214
Publié en ligne : 2006-03-11
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Raman spectroscopic determination of electron concentration in n-type GaInAsSb
J. E. Maslar, W. S. Hurst and C. A. WangJournal of Applied Physics 106 (12) (2009)
https://doi.org/10.1063/1.3271351