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Article cité :

Characterization of amorphous SIC:H thin films grown by RF plasma enhanced CVD on annealing temperature

M.G. Park, W.S. Choi, J.-H. Boo, Y.T. Kim, D.H. Yoon, B. Hong

J. Phys. IV France, 12 4 (2002) 155-160

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:20020090

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Citations de cet article :

Study of the effect of switching speed of the a-SiC/c-Si(p)-based, thyristor-like, ultra-high-speed switches, using two-dimensional simulation techniques

Evangelos I. Dimitriadis and Nikolaos Georgoulas
Journal of Semiconductors 38 (5) 054001 (2017)
https://doi.org/10.1088/1674-4926/38/5/054001

Two dimensional simulation and modeling of the electrical characteristics of the a-SiC/c-Si(p) based,thyristor-like, switches

E.I. Dimitriadis, N. Archontas, D. Girginoudi and N. Georgoulas
Microelectronic Engineering (2014)
https://doi.org/10.1016/j.mee.2014.11.006