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Article cité :

Reflectance anisotropy studies of the oxidation of (001) GaAs surfaces in an MOCVD reactor

M.N. Simcock, L. He, M.E. Pemble

J. Phys. IV France, 12 4 (2002) 25-28

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:20020073

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Citations de cet article :

The oxidation of GaAs(100) surfaces under atmospheric pressure conditions studied in real time using dynamic reflectance anisotropy spectroscopy at 2.6 and 4eV

M.N. Simcock, L. He and M.E. Pemble
Surface Science 600 (23) L309 (2006)
https://doi.org/10.1016/j.susc.2006.04.049