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Article cité :

Epitaxial growth of heavily P-doped Si films at 450 °C by alternately supplied PH3 and SiH4

Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

J. Phys. IV France, 11 PR3 (2001) Pr3-255-Pr3-260

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:2001332

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Citations de cet article :

Atomically Controlled Processing for Group IV Semiconductors by Chemical Vapor Deposition

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Junichi MUROTA and Masao SAKURABA
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https://doi.org/10.3131/jvsj.48.8

Epitaxial growth of N delta doped Si films on Si(1 0 0) by alternately supplied NH3 and SiH4

Youngcheon Jeong, Masao Sakuraba and Junichi Murota
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Atomic-layer doping in Si by alternately supplied NH3 and SiH4

Youngcheon Jeong, Masao Sakuraba and Junichi Murota
Applied Physics Letters 82 (20) 3472 (2003)
https://doi.org/10.1063/1.1576910