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Article cité :

Modelling of SiC sublimation growth process : Influence of experimental parameters on crystal shape

A. Pisch, E. Blanquet, M. Pons, C. Bernard, M. Anikin, J.M. Dedulle, R. Madar

J. Phys. IV France, 09 PR8 (1999) Pr8-213-Pr8-219

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1999826

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Citations de cet article :

Coupled heat and mass transfer in the entrance region of a circular tube with fully-developed parabolic flow and external convective heating

Jian Shi, Chang Li, Yuwen Zhang and Hao Li
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Contribution of numerical simulation to silicon carbide bulk growth and epitaxy

Jérôme Meziere, Michel Pons, Léa Di Cioccio, et al.
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SiC Power Materials

E. Pernot, M. Pons and R. Madar
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Vapor phase techniques for the fabrication of homoepitaxial layers of silicon carbide: process modeling and characterization

M Pons, F Baillet, E Blanquet, et al.
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https://doi.org/10.1016/S0169-4332(03)00064-3