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Article cité :

Nucleation behavior during the first stages of SiC growth on different substrates

E. Hurtós, J. Rodríguez-Viejo, M.T. Clavaguera-Mora, K. Zekentes

J. Phys. IV France, 09 PR8 (1999) Pr8-1069-Pr8-1074

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:19998133

PDF (2.182 MB)

Citations de cet article :

Residual stress and texture in poly-SiC films grown by low-pressure organometallic chemical-vapor deposition

E. Hurtós and J. Rodrı́guez-Viejo
Journal of Applied Physics 87 (4) 1748 (2000)
https://doi.org/10.1063/1.372087