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Article cité :

Boron doped polysilicon deposition in a sector reactor : Specific phenomena and properties

E. Scheid, L. Furgal, H. Vergnes

J. Phys. IV France, 09 PR8 (1999) Pr8-885-Pr8-892

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:19998111

PDF (1.244 MB)

Citations de cet article :

Study of Nitrogen Effect on the Boron Diffusion during Heat Treatment in Polycrystalline Silicon/Nitrogen-Doped Silicon Thin Films

Lynda Saci, Ramdane Mahamdi, Farida Mansour, et al.
Japanese Journal of Applied Physics 50 (5) 051301 (2011)
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Study of Nitrogen Effect on the Boron Diffusion during Heat Treatment in Polycrystalline Silicon/Nitrogen-Doped Silicon Thin Films

Lynda Saci, Ramdane Mahamdi, Farida Mansour, et al.
Japanese Journal of Applied Physics 50 (5R) 051301 (2011)
https://doi.org/10.7567/JJAP.50.051301

Physicochemical Characterization of Annealed PolySi/NIDOS/SiO2Structures

R. Mahamdi, L. Saci, F. Mansour, et al.
Spectroscopy Letters 42 (3) 167 (2009)
https://doi.org/10.1080/00387010902772401

Influence of dopant concentration and type of substrate on the local organization of low-pressure chemical vapour deposition in situ boron doped silicon films from silane and boron trichloride

B. Caussat, E. Scheid, B. de Mauduit and R. Berjoan
Thin Solid Films 446 (2) 218 (2004)
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2003.10.010