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Article cité :

Chemical vapor deposition of zinc gallate using a novel single precursor

C.G. Kim, W. Koh, S.-J. Ku, E.J. Nah, K.-S.Yu, Y. Kim

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DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:19998107

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Citations de cet article :

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Chemical Vapor Growth of NiGa2O4 Films: Advantages and Limitations of a Single Molecular Source

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Heterobimetallic lithium organoaluminum and organogallium complexes: potential single precursors for MOCVD of LiMO2 thin films

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