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Article cité :

Remote plasma metalorganic chemical vapor deposition of GaN epilayers

M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno

J. Phys. IV France, 09 PR8 (1999) Pr8-799-Pr8-804

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:19998101

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Citations de cet article :

Direct growth of highly oriented GaN thin films on silicon by remote plasma CVD

Lise Watrin, François Silva, Cyril Jadaud, Pavel Bulkin, Jean-Charles Vanel, Dominique Muller, Erik V Johnson, Karim Ouaras and Pere Roca I Cabarrocas
Journal of Physics D: Applied Physics 57 (31) 315106 (2024)
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad436c