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Article cité :

Metalorganic chemical-vapour-deposition (MOCVD) of InGaAs, BGaAs, and BInGaAs: Quantum chemical calculations on the mechanisms

Arndt Jenichen and Cornelia Engler
Journal of Crystal Growth 304 (1) 26 (2007)
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.02.019

A computational study of gas-phase and surface reactions in deposition and etching of GaAs and AlAs in the presence of HCl

Carlo Cavallotti, Istvan Lengyel, Maria Nemirovskaya and Klavs F. Jensen
Journal of Crystal Growth 268 (1-2) 76 (2004)
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.04.033

A multiscale study of the selective MOVPE of AlxGa1−xAs in the presence of HCl

Carlo Cavallotti, Maria Nemirovskaya and Klavs F Jensen
Journal of Crystal Growth 248 411 (2003)
https://doi.org/10.1016/S0022-0248(02)01885-7