Electrical properties of ferroelectric SrBi2Ta2O9 thin films deposited on MOCVD-Pt/SiO2/Si substrates by plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
J. Phys. IV France, 08 PR9 (1998) Pr9-255-Pr9-260
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Ferroelectric Memories
James F. ScottSpringer Series in Advanced Microelectronics, Ferroelectric Memories 3 95 (2000)
https://doi.org/10.1007/978-3-662-04307-3_5