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Article cité :

Asymmetric properties of Pb(Zr,Ti)O₃ thin film capacitors with conducting oxides

C.H. Choi, J. Lee

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PDF (1.744 MB)

Citations de cet article :

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Asymmetric Hysteresis Loops, Leakage Current and Capacitance Voltage Behaviors in Ferroelectric PZT Films Deposited on a Pt/Al2O3/SiO2/Si Substrate by MOCVD method with a vapor-deposited Gold Top Electrode

Masruroh and Masayuki TODA
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