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Article cité :

SEXAFS Study of the GaAs/InP Interface

M.G. Proietti, S. Turchini, F. Martelli, J. Garcia, T. Prosperi, D. Chandesris, J. Vogel

J. Phys. IV France, 7 C2 (1997) C2-697-C2-698

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1997208

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Citations de cet article :

The use of synchrotron radiation techniques in the characterization of strained semiconductor heterostructures and thin films

C. Lamberti
Surface Science Reports 53 (1-5) 1 (2004)
https://doi.org/10.1016/j.surfrep.2003.12.001

Diffraction-anomalous-fine-structure spectroscopy applied to the study of III-V strained semiconductors

M. Proietti, H. Renevier, J. Hodeau, et al.
Physical Review B 59 (8) 5479 (1999)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.59.5479