The Impact of Ge Grading on the Bias and Temperature Characteristics of SiGe HBT Precision Voltage References
J. Phys. IV France, 06 C3 (1996) C3-113-C3-118
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The influence of Ge grading on the bias and temperature characteristics of SiGe HBTs for precision analog circuits
S.L. Salmon, J.D. Cressler, R.C. Jaeger and D.L. HarameIEEE Transactions on Electron Devices 47 (2) 292 (2000)
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