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Article cité :

Floating Body and Hot Carrier Effects in Ultra-Thin Film SOI MOSFETs

S.-H. Renn, C. Raynaud, F. Balestra

J. Phys. IV France, 06 C3 (1996) C3-49-C3-54

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1996307

PDF (1.316 MB)

Citations de cet article :

Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions

F. Balestra
Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions 105 (2002)
https://doi.org/10.1007/978-94-010-0339-1_8

Hot-carrier effects and reliable lifetime prediction in deep submicron N- and P-channel SOI MOSFETs

Shing-Hwa Renn, J.-L. Pelloie and F. Balestra
IEEE Transactions on Electron Devices 45 (11) 2335 (1998)
https://doi.org/10.1109/16.726651

Hot-carrier effects and lifetime prediction in off-state operation of deep submicron SOI N-MOSFETs

Shing-Hwa Renn, E. Rauly, J.-L. Pelloie and F. Balestra
IEEE Transactions on Electron Devices 45 (5) 1140 (1998)
https://doi.org/10.1109/16.669572

Hot-carrier effects in deep submicron SOI MOSFETs

S.H. Renn, J.L. Pelloie and F. Balestra
Solid-State Electronics 41 (11) 1769 (1997)
https://doi.org/10.1016/S0038-1101(97)00161-5