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Quantum kinetics approach to calculation of the low field mobility in the hole inversion layers of silicon MOSFET’s

K. L. Kovalenko, S. I. Kozlovskiy and N. N. Sharan
Journal of Computational Electronics 17 (3) 926 (2018)
https://doi.org/10.1007/s10825-018-1163-3

Modeling Radiation-Induced Degradation in Top-Gated Epitaxial Graphene Field-Effect-Transistors (FETs)

Ivan Esqueda, Cory Cress, Travis Anderson, Jonathan Ahlbin, Michael Bajura, Michael Fritze and Jeong-S. Moon
Electronics 2 (3) 234 (2013)
https://doi.org/10.3390/electronics2030234

Advanced performance and scalability of Si nanowire field-effect transistors analyzed using noise spectroscopy and gamma radiation techniques

J. Li, S. A. Vitusevich, M. V. Petrychuk, et al.
Journal of Applied Physics 114 (20) (2013)
https://doi.org/10.1063/1.4833567

Modeling of an integrated active feedback preamplifier in a 0.25 /spl mu/m CMOS technology at cryogenic temperatures

S. Saramad, G. Anelli, M. Bucher, M. Despeisse, P. Jarron, N. Pelloux and A. Rivetti
IEEE Transactions on Nuclear Science 50 (5) 1290 (2003)
https://doi.org/10.1109/TNS.2003.818236