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Modeling Radiation-Induced Degradation in Top-Gated Epitaxial Graphene Field-Effect-Transistors (FETs)
Ivan Esqueda, Cory Cress, Travis Anderson, Jonathan Ahlbin, Michael Bajura, Michael Fritze and Jeong-S. Moon Electronics 2(3) 234 (2013) https://doi.org/10.3390/electronics2030234
Advanced performance and scalability of Si nanowire field-effect transistors analyzed using noise spectroscopy and gamma radiation techniques
Modeling of an integrated active feedback preamplifier in a 0.25 /spl mu/m CMOS technology at cryogenic temperatures
S. Saramad, G. Anelli, M. Bucher, M. Despeisse, P. Jarron, N. Pelloux and A. Rivetti IEEE Transactions on Nuclear Science 50(5) 1290 (2003) https://doi.org/10.1109/TNS.2003.818236