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Article cité :

Positron Spectroscopy of Defects in Semiconductors

P. Hautojärvi

J. Phys. IV France, 05 C1 (1995) C1-3-C1-14

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1995101

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Citations de cet article :

New Insight into the Quantifying Vacancy Distribution in Self-Ion-Irradiated Tungsten: A Combined Experimental and Computational Study

Zhiwei Hu, Jintong Wu, Qigui Yang, François Jomard, Fredric Granberg and Marie-France Barthe
Nano Letters (2025)
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Positron annihilation study for enhanced nitrogen-vacancy center formation in diamond by electron irradiation at 77 K

Z. Tang, T. Chiba, Y. Nagai, et al.
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Buried oxide and defects in oxygen implanted Si monitored by positron annihilation

A. C. Kruseman, A. van Veen, H. Schut, P. E. Mijnarends and M. Fujinami
Journal of Applied Physics 90 (3) 1179 (2001)
https://doi.org/10.1063/1.1380411