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Article cité :

Surface core-level shifts of Si(111)7x7

G. Le Lay, V.Yu. Aristov, M. Fontaine

J. Phys. IV France, 04 C9 (1994) C9-213-C9-216

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1994938

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Citations de cet article :

Defect State Analysis in Ion‐Irradiated Amorphous‐Silicon Heterojunctions by HAXPES

Min‐I Lee, Alice Defresne, Olivier Plantevin, et al.
physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 13 (5) (2019)
https://doi.org/10.1002/pssr.201800655