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Article cité :

Photoluminescence observation of quantum confined stark effect caused by band bending near the surface of etched structures with GaAs/AlGaAs wells

V.N. ASTRATOV, Yu.A. VLASOV

Le Journal de Physique IV, 03 C5 (1993) C5-277-C5-281

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1993555

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Citations de cet article :

Time-Resolved Photoluminescence in Heterostructures with InGaAs:Cr/GaAs Quantum Wells

M. V. Dorokhin, P. B. Demina, Yu. A. Danilov, et al.
Semiconductors 54 (10) 1341 (2020)
https://doi.org/10.1134/S1063782620100061