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Article cité :

Interface excitons in type-two quantum structures

R. ZIMMERMANN, D. BIMBERG

Le Journal de Physique IV, 03 C5 (1993) C5-261-C5-264

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1993551

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Citations de cet article :

Optical Measurements and Theoretical Modelling of Excitons in Double ZnO/ZnMgO Quantum Wells in an Internal Electric Field

Janusz Andrzejewski, Mieczyslaw Antoni Pietrzyk, Dawid Jarosz and Adrian Kozanecki
Materials 14 (23) 7222 (2021)
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Carrier dynamics in type-II GaSb/GaAs quantum dots

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Quantum wires in staggered-band-line-up single heterostructures with corrugated interfaces

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Increase of the e1-hh3 exciton oscillator strength in quantum-well structures under the type-I–type-II transition

A. Ribayrol, D. Coquillat, J. P. Lascaray, and A. V. Kavokin
Physical Review B 51 (12) 7882 (1995)
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Radiative states in type-II GaSb/GaAs quantum wells

N. N. Ledentsov, J. Böhrer, M. Beer, et al.
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