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Article cité :

Morphology of InGaAs/InP QWs : from excitonic spectroscopy to HR-TEM analyses

J. CAMASSEL, S. JUILLAGUET, R. SCHWEDLER, K. WOLTER, F.H. BAUMANN, K. LEO, J.P. LAURENTI

Le Journal de Physique IV, 03 C5 (1993) C5-99-C5-106

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1993518

PDF (1.199 MB)

Citations de cet article :

Optical investigation methods for SiC device development: application to stacking faults diagnostic in active epitaxial layers

J Camassel and S Juillaguet
Journal of Physics D: Applied Physics 40 (20) 6264 (2007)
https://doi.org/10.1088/0022-3727/40/20/S11

A magneto‐optical study of interdiffusion in InGaAs/InP quantum wells: Effects of heat treatment, substrates, and dopants

S. L. Wong, R. J. Nicholas, R. W. Martin, J. Thompson, A. Wood, A. Moseley and N. Carr
Journal of Applied Physics 79 (9) 6826 (1996)
https://doi.org/10.1063/1.361504