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Article cité :

METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION : EXAMPLES OF THE INFLUENCE OF PRECURSOR STRUCTURE ON FILM PROPERTIES

K.F. JENSEN, A. ANNAPRAGADA, K.L. HO, J.-S. HUH, S. PATNAIK, S. SALIM

J. Phys. IV France, 02 C2 (1991) C2-243-C2-252

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1991230

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Citations de cet article :

Comparative Spectroscopic Study of Aluminum Nitride Grown by MOCVD in H2 and N2 Reaction Environment

Samiul Hasan, Mohi Uddin Jewel, Stavros G. Karakalos, Mikhail Gaevski and Iftikhar Ahmad
Coatings 12 (7) 924 (2022)
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Chemical Vapor Deposition for Nanotechnology

Vincent Astié, Cyril Millon, Jean-Manuel Decams and Ausrine Bartasyte
Chemical Vapor Deposition for Nanotechnology (2019)
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Chemical approaches to the Metalorganic CVD of Group‐III Nitrides

Anthony C. Jones, Colin R. Whitehouse and John S. Roberts
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