| Numéro |
J. Phys. IV France
Volume 119, November 2004
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|---|---|---|
| Page(s) | 279 - 280 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:2004119095 | |
J. Phys. IV France 119 (2004) 279-280
DOI: 10.1051/jp4:2004119095
Effet laser à température ambiante sous pompage optique continu d'un VCSEL en cavité externe émettant à 1,55
m
C. Symonds1, I. Sagnes1, J.-L. Oudar1, S. Bouchoule1 and M. Strassner1, 2
1 Laboratoire pour la Photonique et les Nanostructures, LPN-CNRS, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France
2 Institute of Microelectronics and Information Technology, Royal Institute of Technology, Isafjordsgatan 22, 164 40 Kista, Sweden
Abstract
Nous présentons l'obtention du fonctionnement laser en continu à température ambiante à 1,55
m d'un laser semiconducteur à émission par la surface en cavité verticale et externe sous pompage optique. La structure est
réalisée en une seule étape d'épitaxie par EPVOM sur un substrat d'InP. Les seuils observés sont inférieurs à 8,5 kW/cm
2 à 20
C, et la puissance émise atteint 4 mW à 0
C. Une modélisation du comportement thermique de la structure nous a permis d'estimer sa résistance thermique à environ 470
K/W, et de simuler la variation de puissance émise pour différentes températures de fonctionnement.
© EDP Sciences 2004