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J. Phys. IV France
Volume 11, Numéro PR7, Octobre 2001
5e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et XApplications et développements récents |
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| Page(s) | Pr7-103 - Pr7-106 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:2001733 | |
Applications et développements récents
J. Phys. IV France 11 (2001) Pr7-103-Pr7-106
DOI: 10.1051/jp4:2001733
Dopage laser pour la microélectronique du futur
J. Boulmer1, D. Débarre1, A. Grouillet2 and D. Lenoble21 Institut d'Électronique Fondamentale, UMR 8622, Université Paris Sud, bâtiment 220, 91405 Orsay, France
2 France Télécom R&D, 28 chemin du Vieux Chêne, BP. 98, 38243 Meylan, France
Résumé
La microélectronique sur silicium continuera à évoluer, dans les 10 à 15 ans qui viennent vers des degrés d'intégration et de complexité de plus en plus importants. Cette évolution implique une réduction continue des dimensions du transistor MOSFET, dont la largeur de grille ne sera plus, dans une dizaine d'années, que de 50 nm. Pour suivre cette évolution, il faut être capable de réaliser des jonctions de plus en plus minces (jusqu'à environ 10 nm pour une largeur de grille de 50 nm). avec des concentrations en dopants actifs de plus en plus élevées et des profils de plus en plus abrupts. Les techniques de dopage habituelles, basées sur une implantation ionique suivie d'un recuit thermique, rencontrent de grandes difficultés pour atteindre ces performances. Nos expériences montrent que la technique de dopage laser offre une solution très intéressante à la réalisation de jonctions ultra-fines.
© EDP Sciences 2001