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Numéro
J. Phys. IV France
Volume 138, December 2006
Page(s) 203 - 212
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2006138023
Publié en ligne 6 janvier 2007
8e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X : Applications et développements récents
R. Moncorgé et J.L. Doualan
J. Phys. IV France 138 (2006) 203-212

DOI: 10.1051/jp4:2006138023

Dopage laser en microélectronique

T. Sarnet1, M. Hernandez2 and D. Débarre1, 1

1  Institut d'Électronique Fondamentale, UMR CNRS 8622, Université Paris-Sud, Bât. 220, Centre Scientifique d'Orsay, 91405 Orsay Cedex, France
2  SOPRA-SA, 26 rue Pierre Joigneaux, 92270 Bois-Colombes, France


(Publié en ligne le 6 janvier 2007)

Résumé
Les procédés de recuit et de dopage laser du silicium ont été étudiés de manière intensive au cours des précédentes décennies. Ces études ont d'ores et déjà permis un transfert technologique pour la fabrication des semiconducteurs. Cependant les futures générations CMOS vont nécessiter des techniques de dopage encore plus fines, capable de fabriquer les jonctions ultra-minces décrites dans la "roadmap" de l'ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Ce papier décrit des résultats récents obtenus dans le cadre du RMNT DOLAMI consacré au dopage laser de jonctions ultra-minces, ainsi que des applications du dopage laser pour les microtechnologies liées à la fabrication de MEMS.



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