Numéro
J. Phys. IV France
Volume 135, October 2006
Page(s) 257 - 258
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2006135080
Publié en ligne 23 novembre 2006
Neuvième colloque sur les lasers et l'optique quantique
C. Chardonnet et G. Millot
J. Phys. IV France 135 (2006) 257-258

DOI: 10.1051/jp4:2006135080

Amplification de l'effet Goos-Hänchen à la réflexion totale sur une couche diélectrique

F. Pillon1, H. Gilles1, S. Girard1, M. Laroche1, R. Kaiser2 and A. Gazibegovic3

1  Équipe Lasers, Instrumentation Optique et Applications, Centre Interdisciplinaire de Recherche Ions Laser, CNRS-CEA-ENSI Caen, 6 Bd. Maréchal Juin, 14050 Caen, France
2  Institut Non Linéaire-Nice, CNRS$/$UMR 6618, 1361 route des Lucioles, 06560 Valbonne, France
3  Prirodno Matematicki Fakultet, Zmaja od Bosne 53, 71000 Sarajevo, Bosnia-Herzegovina


(Publié en ligne 23 novembre 2006)

Résumé
Le décalage Goos-Hänchen que subit un faisceau lumineux à la réflexion totale présente des effets de résonance lors de la réflexion du faisceau sur une couche diélectrique. Ils ont été mis en évidence expérimentalement en utilisant un dispositif combinant un basculement de la polarisation et une détection sensible en position. Les résultats expérimentaux sont comparés aux résultats théoriques obtenus à partir de modèles adaptés au cas d'une couche guidante.



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