Numéro
J. Phys. IV France
Volume 135, October 2006
Page(s) 193 - 194
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2006135053
Publié en ligne 23 novembre 2006
Neuvième colloque sur les lasers et l'optique quantique
C. Chardonnet et G. Millot
J. Phys. IV France 135 (2006) 193-194

DOI: 10.1051/jp4:2006135053

Étude en température d'un laser à un seul plan de boîtes quantiques d'InAs sur substrat InP émettant à 1,55 ${\bold mu}$m

E. Homeyer, R. Piron, P. Caroff, C. Paranthoen, O. Dehaese, A. Le Corre and S. Loualiche

Laboratoire LENS (CNRS/UMR FOTON 6082), INSA-Rennes, 35043 Rennes, France
    e-mail: estelle.homeyer@ens.insa-rennes.fr


(Publié en ligne 23 novembre 2006)

Résumé
Nous présentons ici l'étude en température d'un laser à une couche unique de boites quantiques d'InAs sur substrat InP(311)B. Ce laser émet dans la bande de longueur d'onde des télécommunications optiques $1.55\,\mu{\rm m}$. Il présente une densité de courant de seuil de 6 A/cm2 à basse température (110 K), témoin d'un excellent gain matériau. L'étude du spectre d'électroluminescence en fonction de la température montre un important élargissement spectral à basse température, qui se réduit de façon drastique lorsqu'on s'approche de la température ambiante. Cette caractéristique dénote un comportement inhomogène des boites quantiques à basse température.



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