Numéro
J. Phys. IV France
Volume 09, Numéro PR2, February 1999
6èmes Journées Nationales de Microélectronique et Optoélectronique III-V (JNMO'97)
Page Pr2-37
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1999205
6èmes Journées Nationales de Microélectronique et Optoélectronique III-V (JNMO'97)

J. Phys. IV France 09 (1999) Pr2-37

DOI: 10.1051/jp4:1999205

The quantum confined Pockels effect in GaAs-based multi-quantum wells

O. Krebs, P. Voisin, D. Rondi, J.L. Gentner, L. Goldstein and J.C. Harmand

Without abstract




© EDP Sciences 1999