Numéro
J. Phys. IV France
Volume 03, Numéro C8, Décembre 1993
IX International Conference on Small Angle Scattering
Page(s) C8-381 - C8-384
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1993879
IX International Conference on Small Angle Scattering

J. Phys. IV France 03 (1993) C8-381-C8-384

DOI: 10.1051/jp4:1993879

Study of gallium arsenide on silicon by small angle X-ray scattering

V. VEZIN, H. OKUDA, K. OSAMURA, Y. AMEMIYA, K. KITAHARA and K. NAKAJIMA

Osamura Lab., Dept. of Metallurgy, Kyoto Univ., Sakyo-ku, Kyoto 606, Japan


Abstract
In order to study the heteroepitaxial growth of gallium arsenide on silicon (100), Small Angle X-ray Scattering (SAXS) experiments have been performed at the synchrotron radiation facility Photon Factory at KEK. The samples studied have been grown by both Atomic Layer Epitaxy and Metal-Organic Chemical Vapor Deposition. The two dimensional SAXS patterns present different features depending on the growth technique.


Résumé
Afin d'étudier la croissance hétéroépitaxiale de l'arséniure de gallium sur silicium (00l), des expériences de diffusion centrale des rayons X ont été effectuées au rayonnement synchrotron Photon Factory au KEK. Les echantillons etudies ont été élaborés par Atomic Layer Epitaxy et par Metal-Organic Chemical Vapor Deposition. Les courbes bidimensionnelles de diffusion centrale présentent différentes caractéristiques selon la technique de déposition.



© EDP Sciences 1993