Numéro
J. Phys. IV France
Volume 01, Numéro C6, Décembre 1991
Beam Injection Assessment of Defects in Semiconductors
2nd International Workshop
Page(s) C6-187 - C6-192
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1991628
Beam Injection Assessment of Defects in Semiconductors
2nd International Workshop

J. Phys. IV France 01 (1991) C6-187-C6-192

DOI: 10.1051/jp4:1991628

QUANTITATIVE DETERMINATION OF THE RECOMBINING ACTIVITIES OF 60° AND SCREW DISLOCATIONS IN FZ AND CZ SILICON

B. PICHAUD1, F. MINARI1 and S. MARTINUZZI2

1  Laboratoire de Physique Cristalline, U.R.A. 797 CNRS, Faculté des Sciences de St Jérôme, Av. Escadrille Normandie-Niemen, F-13397 Marseille Cedex 13, France
2  Laboratoire de Photoélectricité, Faculté des Sciences de St Jérome, Av. Escadrille Normandie-Niemen, F-13397 Marseille Cedex 13, France


Résumé
L'activité recombinante de dislocations vis et 60°, introduites de façon contrôlée dans le silicium FZ et CZ, a été caractérisée par les vitesses de recombinaison correspondantes tirées de mesures de longueurs de diffusion obtenues par la méthode SPV. Les résultats montrent que les dislocations 60° sont nettement plus actives que les vis, et que cette activité augmente avec la concentration en oxygène du matériau et avec la température de développement des dislocations.


Abstract
We have characterized quantitatively the recombining activities of 60° and screw dislocations by their recombination velocities. This parameter was derived from the diffusion length determined by using the SPV method. Dislocations were introduced in initially perfect FZ and CZ crystals, at different temperatures. The results show that 60° dislocations are much more active than screws, and that the activity increases markedly with oxygen content of the material and with the temperature at which dislocations were introduced.



© EDP Sciences 1991