Numéro
J. Phys. IV France
Volume 01, Numéro C6, Décembre 1991
Beam Injection Assessment of Defects in Semiconductors
2nd International Workshop
Page(s) C6-75 - C6-76
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1991613
Beam Injection Assessment of Defects in Semiconductors
2nd International Workshop

J. Phys. IV France 01 (1991) C6-75-C6-76

DOI: 10.1051/jp4:1991613

IN PLANE INVESTIGATION OF SILICON GRAIN BOUNDARIES - MODEL AND EXPERIMENT

M. STEMMER

Laboratoire de Photoélectricité des Semiconducteurs, Case 231, Faculté des Sciences et Techniques de Marseille, F-13397 Marseille Cedex 13, France

Without abstract




© EDP Sciences 1991
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